过去几年里，HBM市场竞争加剧，SK海力士、三星和美光都在通过开发更先进的HBM产品，以争夺更大的市场份额，提高存储器业务的营收及利润率。不过近期一间意想不到的厂商正从不同的角度，试图进入HBM市场。
据Sedaily报道，LG正在为HBM开发混合键合设备，目标2028年实现量产，希望借此机会进军半导体设备市场。
LG的做法是有道理，随着HBM堆叠层数的增加，需要缩小芯片之间的间隙，而混合键合技术可以缩小间隙，满足了需要更多垂直堆叠层数的HBM产品的生产。目前SK海力士采用的是MR-RUF技术，三星和美光则使用了TC NCF技术，这些传统方法在超过16层堆叠时将面临良品率的挑战。
相比之下，混合键合是一种3D集成技术，使用特殊材料填充和连接芯片，不需要凸块。与传统的基于凸块的堆叠相比，具有更低的电阻和电容、更高的密度、更好的热性能、以及更薄的3D堆栈。
传闻三星从第10代V-NAND闪存开始，采用混合键合技术，目标是在2025年下半年开始量产，预计总层数达到420层至430层。三星还打算将混合键合技术扩展到DRAM芯片，引入到第六代HBM产品，也就是HBM4。SK海力士也有类似的打算，不过要等到HBM4E。
